晶元測試中高溫對測試探針機械性能的影響

       隨著半導體測試技術(shù)的不斷發(fā)展，高溫晶元測試已經(jīng)逐漸成為主流，并且測試溫度逐年升高。在不斷改良硬件設施的性能外，如何通過持續(xù)改進工藝制程和參數(shù)來更好的保證高溫晶元測試的穩(wěn)定性和安全性尤為重要　　在晶元測試過程中探針卡的探針需要與晶元芯片表面PAD良好接觸以建立起測試機到芯片的電流通路。接觸的深度需要被控制在微米級，按照晶元層結(jié)構(gòu)設計不同，通常在0.5微米到1.5微米之間較適宜。過淺會造成接觸不良導致測試結(jié)果不穩(wěn)定，過深則會有潛在的破壞底層電路的風險。而最直接影響接觸深度的物理量就是OD(Over-Drive)。與室溫測試相比，由于整套測試硬件在高溫環(huán)境下會發(fā)生熱膨脹，且在測試過程中會表現(xiàn)出與熱源距離相關的持續(xù)波動性，要保證高溫測試的穩(wěn)定安全，需要一套特殊的工藝